NPN и PNP
Биполярные соединительные транзисторы, или более простые BJT, представляют собой 3-концевые электронные полупроводниковые приборы. Они в основном изготовлены из легированных материалов и часто используются при переключении или усилении приложений.
По существу, в каждом биполярном транзисторе есть пара диодов PN-перехода. Пара соединена, которая образует сэндвич, который помещает своего рода полупроводник между теми же двумя типами. Поэтому могут быть только два типа биполярного сэндвича, и это PNP и NPN.
BJT являются действующими регуляторами. В принципе, количество проходящего основного тока регулируется путем его разрешения или ограничения, которое обрабатывается и в соответствии с меньшим током от основания. Меньший ток называется «управляющим током», который является «базой». Управляемый ток (основной) находится либо от «коллектора» до «эмиттера», либо наоборот. Это практически зависит от типа BJT, который является PNP или NPN.
В настоящее время биполярные транзисторы NPN наиболее часто используются для двух типов. Основной причиной этого является характерная более высокая подвижность электронов по сравнению с подвижностью дырок в полупроводниках. Поэтому он позволяет увеличить ток и работает быстрее. Кроме того, NPN легче строить из кремния.
Если транзистор NPN, если эмиттер имеет более низкое напряжение, чем тот, который находится в основании, ток будет поступать из коллектора в эмиттер. Существует небольшое количество тока, которое также будет поступать от базы к эмиттеру. Токовый поток через транзистор (от коллектора до эмиттера) контролируется напряжением в основании.
«Основание», или средний слой транзистора NPN, представляет собой полупроводник P, который легко легируется. Он зажат между двумя N слоями, в которых коллектор типа N в транзисторе сильно легирован. При использовании PNP транзистор находится в положении «включено», когда основание вытягивается на низком уровне относительно излучателя или, другими словами, малый ток, выходящий из базы в режиме общего эмиттера, усиливается в выходе коллектора.
Резюме:
1. NPN имеет более высокую подвижность электронов, чем PNP. Поэтому биполярные транзисторы NPN часто более предпочтительны, чем PNP-транзисторы.
2. NPN легче создавать из кремния, чем PNP.
3. Основным отличием NPN и PNP является база. Одно прямо противоположно другому.
4. С NPN полупроводник P-dope является базой, а с PNP «базой» является полупроводник N-dope.
