EEPROM и FlashROM
В прошлом электронным устройствам необходимо было иметь какой-то энергонезависимый способ хранения для хранения всех данных, необходимых для выполнения своих функций. Развитие привело к созданию EPROM и его преемника EEPROM (электрически стираемая программируемая память). Преобладающей особенностью EEPROM является то, что программист может изменять данные, встроенные в память по одному байту за раз, давая ему больше контроля над тем, как он вводит данные. Но этот метод занимает очень много времени, особенно при стирании данных в нем. EEPROM использовался в основном в электронике, которые запрограммированы всего несколько раз перед отправкой, но затем могут быть обновлены с помощью патчей. Примером этого может служить чип, в котором содержится BIOS (базовая система ввода вывода) нашего компьютера. Его можно перепрограммировать с помощью обновлений от производителя, чтобы добавить дополнительные функции или исправить ошибку, которая не была обнаружена во время доставки.
Флэш-память - это ответвление EEPROM, которое связывает разделы памяти с блоками. Хотя запись данных во флэш-память по-прежнему выполняется на уровне байтов, стирание содержимого означает стирание блока в целом. Эта функция дала флеш-памяти преимущество скорости над EEPROM. Флэш-память стала очень популярной, поскольку она потребляет гораздо меньше энергии по сравнению с жестким диском и намного более долговечна; способный выдерживать чрезмерное тепло, давление и даже погружаться в воду. Флэш-память стала мгновенным преемником стареющих гибких дисков не только благодаря своей долговечности, но и большой емкости и относительно небольшим размерам. Единственным недостатком флэш-памяти является то, что, подобно EEPROM, она может прослужить только некоторое количество циклов данных перед сбоем.
EEPROM и Flash - это два типа памяти, которые по-прежнему широко используются сегодня. Хотя это может показаться маловероятным, flash - это только специализированная версия EEPROM, которая позволяет пользователю стирать большие блоки данных для улучшения общей скорости устройства. Несмотря на разницу, ясно, что обе формы памяти все еще будут существовать в обозримом будущем.
