BJT и FET
Транзисторы можно классифицировать по их структуре, а две из наиболее известных транзисторных структур - BJT и FET.
BJT или Bipolar Junction Transistor, был первым видом, который был коммерчески серийным. BJT проводят с использованием как носителей меньшинства, так и большинства, а три терминала имеют соответствующие имена «база, эмиттер и коллектор». Он состоит в основном из двух P-N переходов - базового коллектора и базового эмиттера. Материал, называемый базовой областью, являющейся тонким промежуточным полупроводником, разделяет эти два перехода.
Биполярные соединительные транзисторы широко используются в усиливающих устройствах, поскольку ток коллектора и эмиттера эффективно контролируется малым током на базе. Они называются таковыми, потому что ток, который контролируется, проходит через два типа полупроводниковых материалов ». Токи P и N. Ток, по существу, состоит из потока дырок и электронов в отдельных частях биполярного транзистора.
BJTs в основном функционируют как регуляторы токов. Небольшой ток регулирует больший ток. Однако для правильной работы в качестве регуляторов тока базовые токи и токи коллектора должны двигаться в правильном направлении.
FET или полевой транзистор также управляет током между двумя точками, но он использует другой метод для BJT. Как следует из названия, функция FETs зависит от влияния электрических полей, а также от потока или движения электронов в ходе определенного типа полупроводникового материала. На основе этого факта полевые транзисторы иногда называют однополярными транзисторами.
FET использует либо отверстия (канал P), либо электроны (N канал) для проведения, и в большинстве случаев он имеет три терминала - источник, дренаж и вентиль - с корпусом, подключенным к источнику. Во многих приложениях FET - это в основном устройство, контролируемое напряжением, из-за того, что его выходные характеристики устанавливаются полем, зависящим от приложенного напряжения.
Резюме:
1. BJT - это управляемое током устройство, поскольку его выход определяется на входном токе, а FET рассматривается как управляемое напряжением устройство, поскольку оно зависит от полевого эффекта приложенного напряжения.
2. BJT (биполярный переходный транзистор) использует как носители меньшинства, так и основные (дыры и электроны), а полевые транзисторы, которые иногда называют однополярными транзисторами, используют либо дырки, либо электроны для проводимости.
3. Три терминала BJT называются базой, эмиттером и коллектором, в то время как FET называются источником, сливом и воротами.
4. BJT - это первый тип, который будет производиться коммерчески.
